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2 Grundlagen Feldemission: Ladungsträger können durch die Barriere tunneln (Fowler-Nordheim- Tunneln).Hierzumuss die angelegte elektrische Feldstärke groß genug sein, damit die räumlicheAusdehnungderBarriere klein genug für dasDurchtun- nelnderLadungsträgervondenZuständenamFermi-NiveauderElektrode in dasHOMO-bzw.LUMO-NiveaudesorganischenHalbleiters ist [28,35]. ThermionischeFeldemission: Die real auftretendeKombination aus thermionischer undFeldemissionwird als thermionische Feldemission bezeichnet.DieLadungsträgerwerden dabei thermischangehoben,umschließlicheineräumlichgeringerausgedehnteBar- riere zu durchtunneln [24, 37]. Es gibtModellerweiterungen, in denen diese Injektion alsHüpf-Prozess (engl. hopping)modelliert wird (Scott-Malliaras- Modell) [36].DiesschließtdieBrückezueinemenergetischungeordnetenLa- dungsträgertransport innerhalb organischerHalbleiter,welcher imFolgenden nähererläutertwird. 2.1.4 Ladungsträgertransport In anorganischenHalbleiter könnenElektronen imLeitungsbandundLöcher imValenzband aufgrund derKristallperiodizität und demdaraus resultieren- den Bandmodell als frei beweglich angenommen werden [30]. Im organi- schenHalbleiter sind Ladungsträger nur innerhalb des π-Elektronensystems aufgrund derDelokalisierung frei beweglich, also bei Polymeren z.B. inner- halbderKonjugationslänge (vgl.Abschnitt 2.1.1) [38].DurchVerunreinigun- gen oder auch die geometrischeAnordnung derMoleküle kann diemittlere freieWeglängesogarnochgeringerausfallen.DerLadungsträgertransportvon Molekül zuMolekül geschieht daherüber einenHüpf-Prozess (engl.hopping transport) [24,34,39]wieinAbbildung2.1.5adargestellt.DieEnergiezustän- de die sich ausHOMO- bzw. LUMO-Niveau ergeben, lassen sich alsGauß- verteiltumeinMaximum,dessenWert typischerweiseangegebenwird,anneh- men [22, 40, 41].DieLadungsträgerkönnenvonZustandzuZustand tunneln 14