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2 Grundlagen ergibt. Wobei U der angelegten Spannung und d der Schichtdicke des organischen Halbleiters entspricht. In Abb. 2.1.5b ist der typische Strom- Spannungs-Verlauf gezeigt. Im Bereich niedriger Spannung (relativ zu den Injektionsbarrieren)gilt dasohmscheGesetz für JILC: JILC=e·n(E)·μ(E)·E. (2.1.2) Hierbei ist e die Elementarladung, E das externe elektrische Feld, n(E) die Ladungsträgerdichte und μ die Mobilität der Ladungsträger. Effiziente Bauteile auf Basis organischer Halbleiter sollten nicht injektionslimitiert sein [47]. Das in Abb. 2.1.5b gezeigte Modell berücksichtigt dabei noch keine Traps. Eine ausführliche Behandlung dieser Thematik findet sich in [22,40,41,48,49]wieder. 2.1.5 Energietransfer NebendemLadungsträgertransportunddenoptischenÜbergängen,wiesie in Abschnitt 2.1.2erläutertwurden,gibt esdieMöglichkeit desEnergietransfers vonMolekül zuMolekül.Durcheine resonanteDipol-DipolWechselwirkung wird unter Spinerhaltung Energie strahlungslos und ohne Ladungs- oder Massetransfer zwischen zweiMolekülen übertragen [27, 50]. Das angeregte MolekülwirdalsDonatorunddasEnergieaufnehmendeMolekülalsAkzeptor bezeichnet.MansprichtbeidiesemEnergietransfervomFörster-Transfer[51]. Die Effizienz dieses Prozesses lässt sich durch die Förster-Transferrate K beschreiben: K= 1 τD ( R0 RDA )6 . (2.1.3) Hierbei ist τD die mittlere Lebensdauer des angeregten Zustandes im Donator-Molekül, RDA der mittlere Abstand zwischen dem Donator und AkzeptorMolekül und R0 entspricht dem Förster-Radius, von welchem die Effizienz dieses Prozesses maßgeblich abhängig ist. Der Förster-Radius ist wiederum vom Überlapp des Emissionsspektrum des Donators und dem Absorptionsspektrum des Akzeptors abhängig. Typische Reichweiten liegen bei3-4nm[50,52]. 16