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3.1 Dünnschichtprozessierung DiesistderGrund,warumheutigehocheffizienteOLEDsimWesentlichenaus (thermisch)aufgedampftenSchichtenbestehen [2,6,7] (sieheauchAbschnitt 2.2.1und2.2.3). Elektronenstrahlverdampfen Das Elektronenstrahlverdampfen eignet sich hauptsächlich für Materialien mit sehr hohem Schmelz- und Siedepunkt [176, 177]. Der Unterschied zum thermischen Verdampfen ist hierbei, dass das Material nicht über das Erhitzen eines Tiegels verdampft wird. Über ein elektrisches Feld werdenElektronen,welcheaneinemheißenFilamentaustreten, entsprechend beschleunigt und durch ein Magnetfeld auf das zu verdampfende Material gelenkt (siehe Abbildung 3.1.1b). Somit lassen sich stark lokalisiert hohe Temperaturen erreichen. Materialien, welche einen höheren Siedepunkt als ihre entsprechenden Tiegel haben, können so verdampft werden, ohne dass der Tiegel dabei schmilzt. Das Elektronenstrahlverdampfen findet wie das thermische Verdampfen ebenfalls unter Vakuum statt. Die Schichtdicke kann hier ebenfalls über einen Schwingquarz kontrolliert werden. In dieser Arbeit wurde das Verfahren im Wesentlichen zur Abscheidung von Oxiden verwendet,wiez.B.TiO2undSiO2. Sputtern Sputtern (engl. to sputter, zerstäuben) ist genau genommen keinAufdampf- prozess. Bei dieserArt derMaterialdepositionwird das abzuscheidendeMa- terial (sog. Target) in ein ionisiertes Gas (Plasma) gebracht. Die Ionenwer- denbeschleunigtundschlagenAtomeausdemTargetheraus,welchesichauf der entsprechenden Probe abscheiden (siehe Abbildung 3.1.1c). Man unter- scheidetSputterprozessejenachArtderBeschleunigungdesionisiertenGases (z.B.Argon) inDC-(Gleichspannung),HF- (Hochfrequenz-)undMagnetron- Sputtern[178]. ImGegensatzzudenobengenanntenAufdampfverfahrenwird so die Probe vollständig beschichtet, d.h. z.B. dass auch Seitenkanten auf Strukturen etc. beschichtetwerden.AusdiesemGrundeignen sichgesputter- teSchichtenweniger fürLift-OffProzesse (sieheAbschnitt 3.3). ImRahmen 51