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3 MethodenundMaterialien (a) (b) (c) (d) Abb.3.3.2:Lift-Off Prozess. (a) Ausgehend von einer Lackstruktur (b) wird ein Material aufgebracht. (c)DerLackwirdmit einemLösemittel abgehoben, so dass (d) die Struktur aufdemSubstrat resultiert. Abb. 3.3.3a), d.h. dieLackstrukturwird auf einemMetall oderDielektrikum prozessiert. Sie dient dannalsMaske für denÄtzprozess (sieheAbb. 3.3.3b). WichtigbeimÄtzen ist daher eineSelektivität, sodassnurdas entsprechende Material und nicht die Lackmaske oder das Substrat abgetragenwird (siehe Abb. 3.3.3c).DieLackmaskewird anschließendmit einemgeeignetenLöse- mittelentfernt(sieheAbb.3.3.3d).Manunterscheidetdabeizwischendiversen Ätzverfahren: • Nasschemisches Ätzen: Dabei wird die Probe in ein entsprechendes Ätzbadgegeben.Die vomLackungeschütztenStellenwerden abgetra- gen.NasschemischesÄtzen ist stark isotrop,d.h.derÄtzprozess läuft in alleRichtungengleich schnell ab.AusdiesemGrundunterätztmanmit dem nasschemischen Verfahren typischerweise die Lackstruktur, wes- halb sich dasVerfahren nur für Strukturgrößen eignet,welche deutlich größer sind als die zu ätzende Schichtdicke. Ein großer Vorteil dieses Verfahrens ist die hohe Selektivität durch die Verwendung einer ent- sprechendenÄtzlösung.NasschemischesÄtzenkamimRahmendieser Arbeit z.B. bei der Strukturierungder ITO-beschichtetenGlassubstrate zumEinsatz (z.B.Leiterbahnenlayout, vgl.Abschnitt 3.2.1). • Plasmaätzen:Dabeiwirddie zuätzendeProbe in einPlasmagegeben. Die Ionen des Plasmas werden durch ein angelegtes hochfrequentes Feld beschleunigt, so dass die Ionen durch ihre kinetische Energie 68