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5.1 MgF2-Mikrosäulen telbar die Auskopplung der gebundenenModen beeinflussen kann. Für den indieserArbeit verwendetenWOLED-Stack lagdas imuntersuchtenBereich gemesseneOptimumbei66nm.BeikleinerenSäulenhöhenkannessein,dass die Streuwirkung der Mikrosäulen zu gering ist. Höhere Säulen neigen zu KurzschlüssenoderkönnendurchdieFlüssigprozessierungdesOLED-Stacks und den dabei verwendetenLösemitteln angelöstwerden,was zu geringeren Effizienzen führt. Die Strukturierung der ITO-Anode mit MgF2-Mikrosäulen kann, obwohl sich der Flächenwiderstand der Elektrode nicht signifikant ändert (siehe Abschnitt5.1.2),zueinerÄnderungdeselektrischenVerhaltensderWOLEDs führen. In Abb. 5.1.6 sind repräsentative Strom-Spannungskennlinien der WOLEDs für unterschiedliche Säulenabstände bei einer Säulenhöhe von 66nm gezeigt. Eine Veränderung der U-I-Kennlinie in Abhängigkeit der Säulenhöhe konnte nicht beobachtet werden. Es ist zu erkennen, dass die Strukturierung zu keinen wesentlichen Veränderungen im elektrischen Verhalten der Bauteile führt. Die leichte Streuung der U-I-Kennlinien gegenüber der Referenz-WOLED bei hohen Spannungen kann durch die eingeführte Korrugation erklärt werden. Durch die Korrugation und der damit einhergehend lokal leicht variierenden Schichtdicke kann sich lokal der elektrischeWiderstand ändern, was zu den dargestellten Abweichungen der U-I-Kennlinien insbesondere bei hohen Spannungen führen kann. Die Effizienzen der OLEDs wurden bei deutlich niedrigeren Betriebspunkten verglichen,weshalbderEffektderEffizienzsteigerungimWesentlicheneinem optischen Effekt zugewiesen werden kann, der mit einer Auskopplung der gebundenenWellenleitermodenzusammenhängt. Um den Effekt der Auskopplung durch die MgF2-Mikrosäulen näher zu untersuchen wurden Transfermatrix-Simulationen (T-Matrix) durchgeführt. Die T-Matrix-Methode ermöglicht das Berechnen des Intensitätsprofils der gebundenen Wellenleitermoden in einem Dünnschichtstapel3. Abbildung 5.1.7a zeigt beispielhaft das errechnete 1-D Modenprofil der TE0-Mode in 3EinegenaueErläuterungdesT-Matrix-Formalismus ist in [234]zufinden 107