Page - 122 - in Technologien für das Lichtmanagement in organischen Leuchtdioden

5 InterneAuskopplung sind.Dieser Effekt ist bei korrugiertenOLEDs in der Literatur bekannt, und wird durch eine durch die Korrugation hervorgerufene lokale Variation der Schichtdicke und der damit einhergehenden lokalen Feldüberhöhung erklärt [231,237].ObwohldieWOLEDsflüssigprozessiertwurden, istderplanarisie- rendeEffekt dieser Prozessierungsmethode gering, so dass sich dieKorruga- tiondurchdasgesamteBauteil „drückt” (sieheAbbildung5.2.5cund5.2.5d). Es kann daher nicht vollkommen ausgeschlossenwerden, dass die gemesse- ne Effizienzsteigerung auch durch elektrische Effekte bedingt ist. Allerdings besitzen die Bauteile mit 15nm und 35nm Gitterhöhe beinahe dieselbe U- I-Charakteristik, weisen aber deutlich unterschiedliche Effizienzen auf. Des- halb kann davon ausgegangen werden, dass für die Effizienzsteigerung ein optischer, bzw. einAuskoppeleffektmaßgeblichverantwortlich ist.Dass eine unterschiedlicheTransmission fürdieverschiedenenGitterhöhen fürdievari- ierendenEffizienzenderWOLEDsverantwortlich ist, kann,wiedie inAbbil- dung5.2.6cdargestelltengemessenenTransmissionenzeigen,ausgeschlossen werden. BetrachtetmandiegemesseneEffizienzsteigerung fürdie15nmund35nm Gitter-WOLEDs(rund100%bzw.60%), so istdieszunächstunerwartet.Von einer höheren Gitterstruktur ist eine höhere Streuwirkung zu erwarten, und damit auch eine effizientereAuskopplung.Weiterhin habenTransfer-Matrix- Simulationen8 gezeigt, dass bei höheremGitter der Füllfaktor in der „Gitter- schicht”, also der Überlapp der gebundenenModemit demGitter zunimmt (siehe Abb. 5.2.7). Daraus erhöht sich der Wechselwirkungsquerschnitt des GittersmitdergebundenenMode.DafüreinegeringereGitterhöheallerdings einehöhereEffizienzsteigerunggemessenwurde,mussnebendemStreuquer- schnittdesGittersunddemÜberlappderModemitderGitterstrukturnochein andererEffektdieAuskopplungbeeinflussen. In [238]wurde beispielsweise gezeigt, dass je nachOLED-Stack undGit- tergeometriePhotonendurcheinBragg-Gitter indenDünnschichtwellenleiter desOLED-Stacks eingekoppeltwerden können. EinBragg-Gitter kann Pho- 8Der Brechungsindex für die Gitterstruktur wurde für die Simulation aus dem Mittelwert von TiO2 und PEDOT:PSS bestimmt, was einem Tastverhältnis von 1 entspricht. Das Glassubstrat und die an das AluminiumangrenzendeLuftwurdealsunendlichausgedehnt angenommen. 122