Page - 142 - in Technologien für das Lichtmanagement in organischen Leuchtdioden

6 KombinierteAuskopplung gezeigt. Trotz vergrößerter aktiver Oberfläche der strukturierten WOLEDs bleibt die Strom-Spannungs-Charakteristik überraschenderweise unverän- dert gegenüber denReferenz-WOLEDs.Der inAbbildung 6.1.5 dargestellte Querschnitt dieser WOLEDs lässt erkennen, dass die flüssigprozessierten organischen Schichten, in Abhängigkeit der Positionen auf oder zwischen denMikrosphären lokaleSchichtdickenvariationenzeigen.EineVariationder Schichtdicke ist mit einer Änderung der U-I-Kennlinie vonOLEDs verbun- den. Die unveränderte Kennlinie legt daher nahe, dass die Schichtdicke des WOLED-Stacks imMittelgegenüberdemReferenzbauteilunverändertbleibt. Der Effekt der vergrößerten aktiven Oberfläche bei gleichbleibender Footprint-Flächewirkt sich insbesondere auf dieLeuchtdichte der sphärisch- texturierten WOLEDs aus. In Abbildung 6.2.1b ist zu erkennen, dass die Leuchtdichte deutlich gesteigert ist, z.B. von 300 cdm2 beim Referenzbauteil auf 690 cdm2 bei gleichbleibender Betriebsspannung der Bauteile. Wie oben angegeben, ist die Oberfläche durch die sphärische Texturierung lediglich um etwa 13 vergrößert. Dies legt nahe, dass neben der Vergrößerung der Oberfläche eine Erhöhung der Auskoppeleffizienz durch die Texturierung auftritt.Aufgrundder relativ scharfenKrümmungdesWellenleitersdurchdie formgebenden Mikropartikel werden die wellenleitenden Eigenschaften des WOLED-Stacks gestört und es kann zu einer Auskopplung der gebundenen Moden kommen. In Abbildung 6.2.1c ist die gemessene Lichtausbeute für die sphärisch-texturiertenWOLEDs und die Referenz-WOLEDs gezeigt. Es ist zu erkennen, dass die Effizienz der WOLEDs um einen Faktor von bis zu 3,7 (±8%) bei einer Betriebsspannung von 5V erhöht wird. Weiterhin lässt sich erkennen, dass die texturierten WOLEDs eine erhöhte Abnahme (engl.Roll-Off) der Effizienz inAbhängigkeit der Betriebsspannung zeigen. Dies lässt sich durch die sphärische Texturierung eingebrachte Korrugation erklären, durch welche sich lokal der elektrische Widerstand ändert, sich dieRekombinationszoneverschiebenkannundsichRaumladungenausbilden können. Dennoch ist selbst bei einer hohen Betriebsspannung von 9V die Lichtausbeute noch um den Faktor 2,1 (±11%) gesteigert. Die genannten elektrischen Einflüsse bei höheren Betriebsspannungenwirken sichweniger stark auf die externe Quanteneffizienz als auf die Lichtausbeute aus. Bei 142