Seite - 103 - in Technologien für das Lichtmanagement in organischen Leuchtdioden

5.1 MgF2-Mikrosäulen im ITO integriertenMgF2-Mikrosäulen, und wurde zwischen 33nm, 66nm und 100nm variiert. Mittels eines Lift-Offs wurde die Lackschicht und das sichdaraufbefindendeMgF2entfernt. Inder ITO-Schicht sindnundieMgF2- Mikrosäulen integriert (Abb.5.1.1f). InAbbildung5.1.2a ist beispielhaft eine Rasterelektronenmikroskop- (REM)Aufnahmeeiner ITO-SchichtmitMgF2- Mikrosäulenzusehen. Aufgrund der starken Isotropie des Ätzprozesses (vgl. Abschnitt 3.3.2) kommtes zu einerUnterätzungderLackstruktur unddamit zu einemdünnen „Spalt” zwischen der ITO- undMgF2-Säulenwand.DieUnterätzung liegt im Bereich der ITO-Schichtdicke (120nm) und ist damit gering gegenüber dem Durchmesser der Säulen (2,5μm). In der in Abbildung 5.1.2b beispielhaft gezeigtenAFM-Aufnahme einermitMgF2-Mikrosäulen strukturierten ITO- Schicht ist dieserSpalt zu sehen. (a) 20 µm0 µm 3 n 00 m (b) Abb.5.1.2:Beispielhafte REM- (a) undAFM- (b) Aufnahme einermitMgF2-Mikrosäulen strukturierten ITO-Anode. Auf diemitMgF2-Mikrosäulen strukturierten ITO-Substrate wurden, wie inAbschnitt3.2.1beschrieben,weißeOLEDs(WOLEDs)prozessiert2.MgF2 zeichnet sich nicht nur durch seinen niedrigen Brechungsindex im sichtba- ren Spektralbereich aus (nMgF2≈1,38), sondern auch durch seine chemische Stabilität. Dies ermöglicht die Flüssigprozessierung des OLED-Stacks auf denMgF2-Mikrosäulenohnedieseanzulösen.DurchdieFlüssigprozessierung 2Bei dem in diesem Kapitel verwendeten OLED-Stack handelt es sich ausschließlich um „warm-weiße”- OLEDs, sieheAbschnitt 3.2.2. 103