Seite - 155 - in Photovoltaic Materials and Electronic Devices

onSLGsubstrates. TheSLGtransmittanceismeasuredandusedasbaselinedata. All ITO films transmittance data involve baseline subtraction, hence 100% transmittance meansthatallof theITOfilmhasbeenetchedoff. Theetchratesweremuchfaster for the ITO on glass such that all the film was etched-off after an 8-min etch (Figure 4A), and5and8min(Figure4C). Materials  2016,  9,  63  8  of  12  films.  Th se  results  are  in  agreement  with  observation  from  previous  studi s  [47,48].  Figure  4A  for    8  min  etch,  and  Fi ure  4C  for  5  and  8  min  etch  showed  a  transmittance  cut‐off  wavelength  around  350  nm  i icating  the  absorption  edge.      Figure  4.  Optical  transmission  spectrum  for  the  RF  sputter  deposited  ITO  films  at  different  oxygen  compositions  and  etched  for  min  (A)  0  sccm,  (B)  0.4  sccm,  and  (C)  1.0  sccm  4.  Discussion  The  results  presented  provide  further  insight  on  the  interaction  of  the  most  common  fabrication  variables  that  influence  the  electrical  and  optical  properties  of  ITO  films  for  PV  and  other  opto‐electronic  applications.  There  is  evidence  of  a  strong  correlation  between  oxygen  concentration  and  both  the  resistivity  and  transmittances  of  RF  sputter  deposited  ITO  films.  The  processing  conditions  have  a  strong  bearing  on  the  structure  of  the  ITO  films.  The  (222)  lattice  planes  are  preferred  in  films  grown  in  oxygen  rich  ambient  whilst  more  lattice  planes;  (211),  (222),  (400),  and  (440)  are  observed  in  films  grown  under  less  oxygen  or  oxygen  deficient  conditions.  Wan  et  al.  have  reported  the  (211),  (400)  and  Figure4. Optical tra smissionspectrumfor theRFsputter epositedITOfilmsat different oxygen co positions and etched for min (A) 0 sccm; (B) 0.4 sccm; and (C) 1.0sccm. 155