Page - 12 - in Technologien für das Lichtmanagement in organischen Leuchtdioden

2 Grundlagen dargestellten Jablonski-Diagrammsbetrachtet.Die Singulett-Zustände S0 bis S2 sowie die Triplett-Zustände T1und T2 spalten sichwieder in vibronische (dünne Linien) Niveaus auf. Die Triplett-Niveaus sind dabei energetisch gegenüberdenSingulett-Niveausabgesenkt.DurchAbsorptioneinesPhotons wird das Molekül in S1 oder S2 (bzw. in noch höhere gelegene Niveaus) angeregt, vonwelchemesdann indenniedrigstenSingulett-Zustand relaxiert (grauePfeile).Wie bereits beschrieben, kanndasMolekül unterAussendung eines Photons wieder in den Grundzustand S0 übergehen (grüne Pfeile). DiesenVorgang nenntmanFluoreszenz.Über eine Spin-Bahn-Umkehr kann der angeregte Zustand in einen energetisch leicht abgesenkten Triplett- Zustand übergehen (orangener Pfeil). Dies wird Interkombination genannt (engl. intersystem crossing). In dem Triplett-Zustand T1 kann das Molekül durcheineTriplett-TriplettAbsorptionmittelsLicht ineinenhöherenZustand angeregt werden oder in den Grundzustand S0 übergehen. Findet dieser Übergang von T1 nach S0 strahlend statt spricht man von Phosphoreszenz (rotePfeile).Da fürPhosphoreszenzeineerneuteUmkehrungdesSpinsnötig ist, ist dieser Übergang erschwert. So sind die Lebensdauern der angeregten Singulett-Zustände in der Größenordnung von 10-10-10-9 s, während die Lebensdauern der Triplett-Zustände in der Größenordnung von 10-6-102 s liegen [24, 31]. Effiziente phosphoreszente Materialien verwenden deshalb seltene Erden oder Schwermetallkomplexe wie Iridium, um die Spin-Bahn- Kopplungunddamit eineSpinumkehrzubegünstigen [20,32,33]. 2.1.3 Ladungsträgerinjektion In einem organischen Halbleiter können Ladungsträger im Wesentlichen durchLichtabsorption (vgl.Abschnitt 2.1.2)generiert oderaneinerElektrode injiziertwerden. ImFolgendenwird dieLadungsträgerinjektion beschrieben, wozu zunächst auf denMetall-(organischen)Halbleiter-Kontakt eingegangen wird. BringtmaneinenorganischenHalbleiter zwischenzweiElektroden, sobil- det sich nach Anpassung des Fermi-Niveaus an den Metall-(organischen) Halbleiter-Kontakten eine Injektionsbarriere, eine sogenannte Schottky- 12