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3 MethodenundMaterialien Als Lochinjektions- und Transportschicht wurde zuerst das Deri- vat VPAI4083 des Polymers Poly(3,4- ethylenedioxythiophene) : po- ly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS, vergleiche Abschnitt 3.2.2) in einer ca. 20nmdickenSchichtaufgeschleudert (sieheAbb.3.2.1b).UmdasLösemittel Wasser aus der Schicht zu entfernen,wurdendieSubstrate bei 130°C für ca. 30min in einem Vakuumofen ausgeheizt. Anschließend wurde das emittie- rendePolymer aufgeschleudert (sieheAbb. 3.2.1c). ImRahmendieserArbeit wurdendiverse emittierendePolymere undCo-Polymere verwendet (verglei- che Abschnitt 3.2.2). Die verwendete Schichtdicke des Emittermaterials in denOLEDs istdabeivomverwendetenEmitter abhängig. Zur späteren Kontaktierungwurde die Organik in den äußeren Bereichen der vollständig bedeckten Substrate mechanisch entfernt. Als Elektronenin- jektionsschicht bzw.Kathodewurde zunächst eine 1nmdicke Schicht Lithi- umfluorid (LiF) und anschließend eine 200nmdickeAluminiumschicht (Al) unter Hochvakuum (ca. 10-7mbar) aufgedampft. Die Strukturierung wie in Abbildung 3.2.1e dargestellt erfolgte dabei über eine beimAufdampfprozess verwendete Schattenmaske. Damit dieOLEDs unter Umgebungsatmosphäre betriebenwerden können,wurden sie verkapselt, wodurch sie vor Sauerstoff undFeuchtigkeitgeschütztwerden.MiteinemEpoxy(UHUplusendfest300) wurdehierzu einweiteres gereinigtesGlassubstrat aufgeklebt, umdieOLED sandwichartig einzuschließen. Dabei bleiben die äußeren Bereiche des Sub- strates zurKontaktierung frei zugänglich (sieheAbbildung3.2.1f). Jede fertig verkapselteOLEDhat somit 4 Leuchtflächenmit jeweils einer Größe von 5mmx5mm.Die äußeren 4 ITO-Streifen kontaktieren dabei die Kathode,die inneren4Streifen jeweilsdiezugehörigeAnode. ITO-freieOLEDs Die in dieser Arbeit verwendeten ITO-freien OLEDs unterscheiden sich in Layout und Herstellungsprozess (siehe Abbildung 3.2.2) gegenüber den ITO-OLEDs. Als Substrat diente ebenfalls ein 1mmdickes Borosilikatglas, welcheswiebeiden ITO-basiertenOLEDs inAceton, Isopropanolundeinem 56