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5 InterneAuskopplung wirdderdiskutierteSpaltzwischenITO-undMgF2-SäulenwandimWesentli- chendurchdie ersteprozessierteSchicht (PEDOT:PSS)gefüllt. InAbbildung 5.1.3 ist schematisch der Querschnitt einerWOLEDmit integriertenMgF2- Säulenzusehen. Abstand Füllhöhe WOLED-Stack Abb.5.1.3:Schematischer Querschnitt einer WOLED mit in der ITO-Anode integrierten MgF2-Säulen. 5.1.2 Charakterisierungderstrukturierten ITO-Anode Um den Einfluss der Strukturierung mit MgF2-Mikrosäulen auf die Eigen- schaftenderITO-Anodezuuntersuchen,wurdezunächstdieTransmissionder ITO-Schichten in Abhängigkeit des Abstandes der Säulen bestimmt. Abbil- dung 5.1.4 zeigt die für die strukturierten ITO-Schichten gemessene Trans- mission. Bei den gezeigten Kurven handelt es sich beispielhaft um MgF2- Mikrosäulenmit einer Höhe von 66nm. Es ist zu erkennen, dass weder die MgF2-Mikrosäulendichte, sprichderAbstandderSäulen,nochdieStrukturie- rung selbst einen Einfluss auf die Transmission der ITO-Anode hat. Ebenso wenig konnte ein Einfluss der Säulenhöhe auf die Transmission beobachtet werden. WeiterhinwurdederFlächenwiderstandmitder inAbschnitt3.4.4beschrie- benenMethode bestimmt, umdenEinfluss auf das elektrischeVerhalten der strukturiertenITO-Schichtzuuntersuchen.EskonntekeinnennenswerterEin- fluss der Strukturierung auf den Flächenwiderstand gemessen werden. Der FlächenwiderstandbliebunabhängigvomSäulenabstandundderSäulenhöhe konstantbeiRMgF2, =13 Ω (±0,3Ω ).Das imRahmendieserArbeit genutzte ITO-Glasbesitzt einenFlächenwiderstandetwaRITO, =12,5Ω . 104