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2.1 OrganischeHalbleiter Barriere Φs, wie sie in Abb. 2.1.4a dargestellt ist, aus. Idealerweise ist HOMO LUMO WF Φs U=0 (a) HOMO LUMO WF Φs U>0 (b) FE WF Φs TE TFE Δ (c) Abb.2.1.4: (a) Organischer Halbleiter zwischen zwei Metallen. Nach Angleichung des Ferminiveausbildet sicheineSchottky-BarriereΦswelchedemAbstandvonder Austrittsarbeit desMetalls zumLUMObzw.HOMOdesorganischenHalbleiters entspricht. (b) Durch Anlegen einer Spannung ändert sich das Energieschema. (c) Ladungsträger können durch Anlegen einer Spannung entweder über thermionische Emission (TE) oder durch Feldemission (FE) injiziert werden. In realen Systemen werden Ladungsträger über eine Kombination der beiden, durch die sogenannte thermionische Feldemission (TFE) injiziert. Durch die AusbildungeinesBildpotentialswirddieSchottky-BarriereumΔ reduziert.Real kommtesdurchUnordnungzurVerschmierungderNiveaus. diese Barriere Null (ohmscher Kontakt). Die Austrittsarbeiten der Metalle, die typischerweise inorganischenHalbleiterbauelementenverwendetwerden, liegen allerdings so, dass sich Schottky-Barrieren ausbilden [28, 34, 35]. Das Anlegen einer Spannung hat zur Folge, dass sich das Energieschema wie inAbbildung 2.1.4b ändert. Durch das externe angelegte Potential wird ein Bildpotential generiert, durch welches die Barriere herabgesetzt wird (Schottky-Effekt) und Ladungsträger in den organischen Halbleiter injiziert werdenkönnen [24, 34, 36]. Für dieLadungsträgerinjektiongibt es verschie- denModelle (sieheAbbildung2.1.4c). ThermionischeEmission: Ladungsträger können die Barriere thermisch überwinden. Hierfürmuss die thermische Energie größer sein, als die zu überwindende Barriere. Dieses Modell ist allerdings nur gültig,wenn dieLadungsträger im injiziertenBand freibeweglichsind. 13