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3.3 Fotolithografie (a) (b) (c) (d) Abb.3.3.3:Ätzprozess. (a)DieLackstrukturbefindet sichaufderOberflächedie strukturiert werden soll. (b) An den lackfreien Stellen wird das Material abgetragen, (c) so dass die Oberfläche strukturiert wird. (d) Die Lackmaske wird mit einem entsprechendenLösemittel entfernt. Atome aus der Oberfläche herausschlagen. Aus diesem Grund weist Plasmaätzen eine geringe Selektivität auf, weswegen bei diesem Prozess eine widerstandsfähige Maskierung zur Strukturierung nötig ist. Der Vorteil dieses Verfahren ist, dass es aufgrund der starken Richtungsabhängigkeit der beschleunigten Ionen stark anisotrop ist. Plasmaätzen wurde im Rahmen dieser Arbeit im Wesentlichen zur Strukturierung der verwendeten Polymeranoden (siehe auchAbschnitt 3.2.1)verwendet. • Reaktives Ionenätzen:DiesesVerfahren ähnelt demPlasmaätzen.Die verwendetenGase sind allerdings chemisch reaktiv (z.B. Fluor, Chlor, etc.), weshalb die Selektivität stark erhöht ist. Dieses Ätzverfahren wurde imRahmendieserArbeit nichtverwendet. 3.3.3 VerwendeteFotolacke Haftvermittler ZurbesserenHaftungdesFotolackswurden imRahmendieserArbeit imWe- sentlichen zwei unterschiedliche Haftvermittler verwendet. Für positive Fo- tolackewurdeHexamethyldisilazan (HMDS) verwendet,welches über einen Exsikkator aufgebracht wurde. Für negative Fotolacke wurde hauptsächlich 69