Seite - 108 - in Technologien für das Lichtmanagement in organischen Leuchtdioden

5 InterneAuskopplung 0 2 4 6 8 10 12 0 8 16 24 32 40 48 56 64 Spannung / V 5 μm Abstand 10 μm Abstand 15 μm Abstand ITO-Referenz Abb.5.1.6:Gemessene Strom-Spannungs-Kennlinien für verschiedene MgF2-Mikrosäulen AbständeundeinerMikrosäulenhöhevon66nm. G l sa IT O P E D O T C o P ol ym er - A l F Li -0,1 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,0 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0 Position / µm Modenprofil Brechungsindex fil i x (a) G l sa M gF 2 P E D O T C o P ol y r - m e A l -0,1 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,0 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0 Position / µm Modenprofil Brechungsindex F Li denprofil r chungsindex (b) Abb.5.1.7: (a)Modenverteilungineiner„warm-weißen”OLEDundzugehörigesBrechungs- indexprofil.Die gebundeneMode läuft imWesentlichen in der ITO-Schicht. (b) ModenverteilunganderPositioneinerMgF2-Mikrosäule. derReferenz-OLED4.Es ist zu erkennen, dassderFüllfaktor dergebundenen Mode innerhalb der ITO-Schicht hoch ist.Aus diesemGrund ist die Störung durch die MgF2-Mikrosäulen im ITO effizient, um die Auskopplung zu erhöhen. Aufgrund des niedrigen Brechungsindex des MgF2 (nMgF2≈1,38) kann an dem Punkt der Mikrosäulen die gebundene Mode nicht mehr im ITO laufen. Sie schiebt daher in dasGlassubstrat (sieheAbb. 5.1.7b).Damit gehendie inderWellenleitermodegebundenenPhotonen indasSubstrat oder schließlich inLuft über.DiegebundeneModewirdalsoausdemWellenleiter 4Zur Berechnung wurde das Glassubstrat und die an das Aluminium angrenzende Luftschicht mit einer unendlichenAusdehnungangenommen. 108